法人番号 7130001073240

事業概要

Patentix株式会社は、次世代パワー半導体「r-GeO₂(ルチル型二酸化ゲルマニウム)」のエピウエハ(基板)の研究開発・製造を行う、立命館大学発のベンチャー企業。 ルチル型二酸化ゲルマニウム(r-GeO₂)は、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)よりも大きなバンドギャップ(4.68eV)を有する次世代のパワー半導体材料であり、電力変換に伴うエネルギー損失の低減が期待されているという素材。 同社は、「株式会社ジェイテクトサーモシステム」と共同で、「r-GeO₂」の成膜に適した成膜方法「チムニー法」を開発し、「r-GeO₂」と結晶構造と格子定数が大きく異なるSi基板上において「r-GeO₂」の単結晶膜を成膜することに成功。同技術を用いて、パワーデバイスの生産ラインに適合する6インチサイズの大口径「r-GeO₂」基盤の試作などに取り組む。

代表者

衣斐豊祐

住所

滋賀県草津市野路東1丁目1番1号立命館大学BKCインキュベータ

設立

2022年12月1日
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詳細データはKEPPLE DB

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